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SKiN一种芯片互连技术秋气堪悲未必然,轻寒正是可人天。
结果显然,可以通过开孔来缓解应力,但孔的形状大小和位置又有所考究,这需要我们结合实际来具体设计完善的。
在模块生产制造过程中,在芯片顶部额外地烧结一层铜层,防止芯片在超声波焊接过程中开裂,提供了所需的机械粘接缓冲作用。
2022年8月15日,特斯拉CEO马斯克发文称,特斯拉上海超级工厂第100万辆车下线。
串扰主要是在主动开关接通和关闭过渡期间,对关闭状态的门极电压引起的干扰。
未曾有所收获,转眼已是下半年。时间也总是这么快,又是两个多月
说到并联,第一反应可能是为了得到更大的电流,比如模块内部的芯片并联,亦或模块并联,这在工业领域早已普遍。
提到混合碳化硅模块,我可能直观的反映是IGBT+SiC SBD,或者SiC MOSFET替代掉部分Si IGBT的模块。
功率半导体芯片、互连材料、陶瓷基板、绑定线、底板、封装剂以及外壳。
随着温度的升高,这个点开始前移。表明,如果在反并SBD的情况下,大部分电流会流过SBD。
为了克服Rds,on和短路能力之间的艰难权衡,越来越多的保护措施被提出,比如智能门极驱动方案。
所以目前流行的是混合器件,即Si-IGBT+SiC-SBD,满足目前对于器件性价比的需求。
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从易到难,慢慢地支撑起整个半导体地框架,一个从零开始慢慢诉说功率半导体那些事儿,一起聊聊那些电力电子技术各个领域的事儿~
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